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초록
본 4차 산업혁명의 시대에 접어들면서 전자기기, AI 기술이 발달하면서 모바일 디바이스(휴대폰, 자동차, 인공지능 로봇)가 다양한 산업 분야에 활용이 되고 있다. 그 중 인체에 무해하며 인간의 삶에서 편리함을 주는 반도체의 기술이 활발히 진행 중이다. Extreme Ultraviolet(EUV)를 활용한 리소그래피 기술이 업계에서 사용되고 있으며, 일반적으로 업계에서 사용되는 파장인 193mm의 Deep Ultraviolet(DUV) 파장보다 13.5nm를 사용하는 EUV 파장을 사용하여 싱글 패터닝을 적용하여 정밀도를 높이고 공정 시간도 단축할 수 있다. 그러나 EUV 파장의 길이가 너무 짧아지면 광의 에너지를 높이기 쉽지 않은 문제점을 가지고 있다. 현재 삼성전자에서 EUV 파장을 활용한 연구가 활발히 진행 중이며, 다양한 업계에서 EUV의 파장의 광 에너지를 높이는 연구를 하고 있다. 본 논문에서는 EUV의 길이에 따른 파장 광 에너지 개선점과 반도체 미래 전망을 제시한다.
키워드
극자외선 리소그래피; 포토레지스트; 디스플레이; 광화학; 고해상도 극자외선; EUV lithography; Photoresist; Display; Photochemistry; high-resolution EUV
- 제목
- EUV 리소그래피(Lithography) 공정 기술 동향 및 연구 전망
- 제목 (타언어)
- EUV lithography Technology Process Trends and Research Prospects
- 저자
- 박성현; 안지영; 임종민; 이자현
- 발행일
- 2025-01
- 저널명
- Industry Promotion Research
- 권
- 10
- 호
- 1
- 페이지
- 83 ~ 92