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진공열증착으로 성막된 산화구리 박막의 p-형 전도특성
P-type transport characteristics of copper-oxide thin films deposited by vacuum thermal evaporation
- 이호년;
- 송병준
초록
p-채널 박막트랜지스터에 이용할 수 있는 p-형 산화구리 박막반도체를 얻기 위한 연구를 하였다. 진공열증착 방법으로 산화구리 박막을 성막하였으며, 증착 후 열처리 조건을 조절하여 박막트랜지스터의 활성층에 적용 가능한 특성을 가지는 산화구리 박막반도체를 얻었다. 열처리 전에 10^22 cm^(-3) 수준의 전자 이송자농도를 가지던 n-형 박막이 열처리 조건을 최적화함에 따라 10^16 cm^(-3) 수준의 정공 이송자농도를 가지는 p-형 산화물반도체 박막으로 변화하였다.
키워드
Copper Oxide; P-Type; Vacuum thermal evaporation; Thermal annealing
- 제목
- 진공열증착으로 성막된 산화구리 박막의 p-형 전도특성
- 제목 (타언어)
- P-type transport characteristics of copper-oxide thin films deposited by vacuum thermal evaporation
- 저자
- 이호년; 송병준
- 발행일
- 2011
- 저널명
- 한국산학기술학회논문지
- 권
- 12
- 호
- 5
- 페이지
- 2267 ~ 2271
- 언어
- KOR
- 출판사
- 한국산학기술학회
- 발행국가
- 대한민국
- 분량
- 5 페이지
- ISSN
- E 2288-4688
P 1975-4701